Микросхема 504НТ3Б
Цена указана без НДС и действительна при оплате на ООО. При оплате на ИП возможна скидка до -30%.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3Б представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
Изготовлены по КСДИ технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 3101.8-1.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия: ШП0.348.003ТУ.
Зарубежный аналог: микросхема 2Т3336.
Основные технические и эксплуатационные характеристики:
| ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ при температуре (25 ± 5)º С |
|||||||
| Наименование параметра, единица измерения, режим измерения |
Буквен ное обозна чение | Н о р м а | |||||
| 504НТ3АСВК 504НТ3АС1ВК |
504НТ3БСВК 504НТ3БС1ВК |
504НТ3ВСВК 504НТ3ВС1ВК |
|||||
| не менее |
не более |
не менее |
не более |
не менее |
не более |
||
| Начальный ток стока, мА, при: UcИ =-10 В; UЗИ =0 В |
Ic.нач. |
1,5 |
7,5 |
5 |
15 |
7,5 |
20 |
| Крутизна характеристики, мА/В, при: UcИ =-10 В; UЗИ =0 В |
S |
1,5 |
- |
3 |
- |
5 |
- |
| Ток утечки затвора, нА, при: UЗИ = 5 В; |
Iз.ут. |
- |
2 |
- |
2 |
- |
2 |
| Коэффициент шума , дБ, при: 1/F= 135±45 Гц; UcИ = -5 В; UЗИ = 0 В; RГ =1 МОм; F =1 кГц |
Кш | - |
2 |
- |
2 |
- |
2 |
| Разность напряжений затвор- исток, мВ, при: UcЗ =-5 В; RН = 10 кОм; Ic=100 мкА |
| UЗИ1 - UЗИ2| |
- |
30 |
- |
Отзывов: 0
Нет отзывов о данном товаре. Полезный текст. Возможно это таблица размеров, условия доставки или оплаты. А может что-то еще. Похожие товары
| ||